LTC®1645 是一种允许将电路板从带电的背板安全地插入和拔出的双路 Hot Swap™ 热插拔控制器

产品详情LTC®1645 是一种允许将电路板从带电的背板安全地插入和拔出的双路 Hot Swap™热插拔控制器。利用外接 N 沟道调整管，电源电压能以设定速率斜坡式上升。两个高端开关驱动器对 N 沟道栅极进行控制，以提供 1.2V 至 12V 范围的电源电压。两路电压即可分别设置斜坡式上升和下降，又可同时控制电压上升和下降速率，以确保电源电压在两个输出端的跟踪。LTC1645

LTC®4221 是一款两通道热插拔 (Hot Swap™) 控制器，允许电路板在带电背板上安全地插入和拔出

产品详情LTC®4221 是一款两通道热插拔 (Hot Swap™) 控制器，允许电路板在带电背板上安全地插入和拔出。该器件采用两个独立的高端栅极驱动器来控制两个外部 N 沟道传输晶体管，可利用电流折返功能来使输出电压斜坡上升，以限制启动期间的浪涌电流。在 GATE 引脚上无需布设外部补偿电容器。对于 2.7V 至 13.5V (通道 1) 和 1V 至 13.5V (通道 2

LTC®4216 是一款低电压正电源热插拔 (Hot Swap™) 控制器，允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作

产品详情LTC®4216 是一款低电压正电源热插拔 (Hot Swap™) 控制器，允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。该器件可控制 0V 至 6V 的负载电压，并利用瞬时模拟电流限制来隔离严重的故障。一个内部高端开关驱动器负责控制一个外部 N 沟道 MOSFET。可调软起动功能用于限制启动期间针对大负载电容器的浪涌电流变化速率。通过与一个模拟限流放大器配合使用，具可调

LTC®4215 / LTC4215-2 热插拨 (Hot Swap™) 控制器允许电路板在带电背板上安全地插入和拨出

产品详情LTC®4215 / LTC4215-2 热插拨 (Hot Swap™) 控制器允许电路板在带电背板上安全地插入和拨出。利用一个外部 N 沟道通路晶体管，可使电路板电源电压和浪涌电流以一个可调斜率的斜坡上升。一个 I2C 接口和板载 ADC 实现监控负载电流、电压和故障状态。该器件具有可调折返电流限制功能和一个用于设定浪涌电流的 dI/dt 的软起动引脚。一个 I2C

LT4356-3 浪涌抑制器可保护负载不受高电压瞬态的影响

产品详情LT4356-3 浪涌抑制器可保护负载不受高电压瞬态的影响。它可在过压事件（例如汽车负载突降）期间通过控制外部 N 通道 MOSFET 来调节输出。输出将被限制为安全值，从而允许负载继续正常运行。LT4356-3 还可监控 VCC和 SNS 引脚之间的电压降，以防止发生过流故障。内部放大器可将电流检测电压限制为 50mV。在任一故障条件下，将会根据 MOSFET 应力按比例反向启动计时器。

LTC®4361 过压 / 过流保护控制器可保护 2.5V 至 5.5V 系统免遭输入电源过压的损坏

产品详情LTC®4361 过压 / 过流保护控制器可保护 2.5V 至 5.5V 系统免遭输入电源过压的损坏。它专为具有多种电源选项 (包括墙上适配器、汽车电池适配器和 USB 端口) 的便携式设备而设计。LTC4361 用于控制一个与输入电源串联的外部 N 沟道 MOSFET。在过压瞬变期间，LTC4361 能在 1μs 的时间之内关断 MOSFET，从而将下游的组件与输入电源隔离

LTC®4362 单片式过压/过流保护控制器可保护 2.5V 至 5.5V 系统免遭输入电源过压的损坏

产品详情LTC®4362 单片式过压/过流保护控制器可保护 2.5V 至 5.5V 系统免遭输入电源过压的损坏。它专为具有多种电源选项 (包括墙上适配器、汽车电池适配器和 USB 端口) 的便携式设备而设计。LTC4362 用于控制一个与输入电源串联的内部 40mΩ N 沟道 MOSFET。在过压瞬变期间，LTC4362 能在 1μs 的时间之内关断 MOSFET，从而将

LTC®4281 热插拔控制器允许在一块带电背板上安全地进行电路板的插拔操作

产品详情LTC®4281 热插拔控制器允许在一块带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。通过采用一个外部 N 沟道传输晶体管，可使电路板电源电压和浪涌电流以一种可调速率斜坡上升。一个 I2C 接口和内置 ADC 实现了电路板电流、电压、功率、能量和故障状态的监视功能。该器件具有模拟折返电流限制功能，以把 MOSFET 功率限制在一个恒定值。宽的输入电压工作范围可轻松地适合 2.9V 至 33

LTC®4236 通过控制外部 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供理想二极管 “或” 和热插拔 (Hot Swap) 功能

产品详情LTC®4236 通过控制外部 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供理想二极管 或 和热插拔 (Hot Swap) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 可替代两个高功率肖特基二极管和关联的散热器，从而节省了功率和电路板空间。一个热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流在带电背板上实现了安全的电路板插拔操作。另外，利用一个快速动作折返电流限制和电子电路断路器还为电源输出提供

LTC®4380 低静态电流浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏

产品详情LTC®4380 低静态电流浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。它能够通过对一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压进行箝位，以在过压过程中 (例如：汽车应用中的抛负载情况) 把输出电压限制在一个安全数值，从而提供过压保护。固定的栅极箝位电压可针对 12V 和 24V / 28V 系统进行选择。对于任何电压高达 72V 的系统，则使用可调栅极箝位版本。该器件还提供了过流保护

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