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HMC-C010是一款模拟移相器，通过0至+5V的模拟控制电压控制

HMC-C010是一款模拟移相器，通过0至+5V的模拟控制电压控制。 HMC-C010分别在6 GHz和16 GHz下提供0至800度和0至450度的连续可变相移，并提供一致的插入损耗和相移变化关系。该相移相对于控制电压保持单调。控制端口的调制带宽为50 MHz。该器件具有低插入损耗和极其可靠的封装，适合各种应用，包括光纤系统和测试设备中的时钟相移。 HMC-C010封装在微型密封模块中，带有

HMC-C009是一款无源I/Q MMIC混频器，封装在微型密封模块中，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器

HMC-C009是一款无源I/Q MMIC混频器，封装在微型密封模块中，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该模块采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs MESFET工艺制造。这个基于MMIC的模块可以替代混合型I/Q混频器和单边带变频器组件，而且更加可靠。该模块带有可移除的SMA连接器，该连接器可以拆卸，以便将模块I/O引脚直接连接到微带或共面电路

HMC-C048是一款GaAs MMIC PHEMT低噪声放大器，封装在微型密封模块中，在5至9 GHz的频率下工作

HMC-C048是一款GaAs MMIC PHEMT低噪声放大器，封装在微型密封模块中，在5至9 GHz的频率下工作。这种高动态范围低噪声放大器模块提供22.5 dB的增益和高达+25 dBm的输出IP3，采用+8V至+16V的单个正电源供电。放大器I/O内部匹配50 Ω，并经过隔直，以提供稳定的性能。该模块带有可移除的同轴连接器，该连接器可以拆卸，以便将I/O引脚直接连接到微带

HMC-C044是一款无源I/Q MMIC混频器，封装在微型密封模块中，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器

HMC-C044是一款无源I/Q MMIC混频器，封装在微型密封模块中，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该模块采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs MESFET工艺制造。低频正交混合器件用于产生100 MHz USB IF输出。这个基于MMIC的模块可以替代混合型I/Q混频器和单边带变频器组件，而且更加可靠。该模块带有可移除的SMA连接器，这些连

HMC-C042是一款无源I/Q MMIC混频器，封装在微型密封模块中，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器

HMC-C042是一款无源I/Q MMIC混频器，封装在微型密封模块中，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该模块采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs MESFET工艺制造。低频正交混合器件用于产生100 MHz USB IF输出。这个基于MMIC的模块可以替代混合型I/Q混频器和单边带变频器组件，而且更加可靠。该模块带有可移除的SMA连接器，这些连

HMC-C055是一款4位数字移相器，额定工作频率范围为8至12 GHz，提供0至360度的单调相位覆盖，具有22.5度的LSB

HMC-C055是一款4位数字移相器，额定工作频率范围为8至12 GHz，提供0至360度的单调相位覆盖，具有22.5度的LSB。. HMC-C055 在所有相态具有6度的极低RMS相位误差以及1 dB的低插入损耗变化。这种高精度移相器需要-5V单直流电压，内部匹配50Ω。封装采用密封模块，可以利用可现场更换的SMA连接器，或者用作插入式模块。应用EW接收器气象和军用雷达卫星通信波束成形模块

HMC-C053是一款吸收式电压可变衰减器(VVA)，在DC到20 GHz的频率下工作

HMC-C053是一款吸收式电压可变衰减器(VVA)，在DC到20 GHz的频率下工作。 HMC-C053提供简单的0至-3V单电压衰减控制。该器件非常适合模拟直流控制信号必须在30 dB幅度范围内控制RF信号电平的设计。它具有宽频率范围，因而受到众多应用的亲睐，特别是涉及多个增益级的AGC或温度补偿的应用，常见于微波无线电或测试仪表架构中。可移除的SMA连接器可以拆卸，以便将模块I/O引脚直

HMC-C049是一款双平衡混频器，在7至14 GHz的频率下工作，提供低转换损耗、高隔离和宽IF带宽

HMC-C049是一款双平衡混频器，在7至14 GHz的频率下工作，提供低转换损耗、高隔离和宽IF带宽。这款混频器不需要直流偏置，可在+9 dBm的LO功率水平下工作。封装采用密封模块，其装配和测试符合MIL-883-STD要求。该产品的标准配置包括三个可现场更换的SMA插口连接器，还可与SMP盲插连接器互换，或者可以拆卸，以便将I/O引脚直接连接到微带或共面电路。应用点对点无线电点对多点无线

HMC-C200是一款高性能介质谐振振荡器(DRO)，采用Hittite的超低相位噪声技术，在10 kHz偏置时提供122 dBc/Hz SSB的相位噪声

HMC-C200是一款高性能介质谐振振荡器(DRO)，采用Hittite的超低相位噪声技术，在10 kHz偏置时提供122 dBc/Hz SSB的相位噪声。输出缓冲还提供14.5 dBm的输出功率。内部温度补偿使得这款DRO能够在-40°C至+85°C的温度范围内工作，频率漂移仅为2ppm/°C。Vtune端口接受 +7至+12V的模拟调谐电压，与中心频率偏离&plus

HMC-C077是一款GaAs HBT超低噪声放大器，封装在微型密封模块中，在1.5至5 GHz的频率下工作

HMC-C077是一款GaAs HBT超低噪声放大器，封装在微型密封模块中，在1.5至5 GHz的频率下工作。这种高动态范围放大器模块提供14 dB的增益、4.5 dB的噪声系数和高达+22 dBm的输出功率，采用+7V单电源供电。它在1 kHz偏移时具有-163 dBc/Hz的超低相位噪声，可在收发器架构内实现出色的调制精度。宽带分布式放大器I/O内部匹配50 Ω，并经过隔直，