LTC4361 过压 / 过流保护控制器可保护 2.5V 至 5.5V 系统免遭输入电源过压的损坏

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LTC®4361 过压 / 过流保护控制器可保护 2.5V 至 5.5V 系统免遭输入电源过压的损坏。它专为具有多种电源选项 (包括墙上适配器、汽车电池适配器和 USB 端口) 的便携式设备而设计。

LTC4361 用于控制一个与输入电源串联的外部 N 沟道 MOSFET。在过压瞬变期间,LTC4361 能在 1μs 的时间之内关断 MOSFET,从而将下游的组件与输入电源隔离开来。电感性电缆瞬变被 MOSFET 和负载电容所消减。在大多数应用中,LTC4361 可提供针对高达 80V 瞬态电压的保护作用,而无需使用瞬态电压抑制器或其他外部组件。

LTC4361 具有一种用于限制浪涌电流的延迟启动和可调 dV/dt  斜坡上升功能。一个 PWRGD 引脚提供了针对 VIN 的电源良好监视功能。LTC4361 具有一种受控于 ON 引脚的软停机功能,并驱动一个任选的外部 P 沟道 MOSFET 以提供负电压保护。在一个过压情况之后,LTC4361 将在一个启动延迟之后自动重新起动。在一个过流情况之后,LTC4361-1 保持关断状态,而 LTC4361-2 将在一个 130ms 的启动延迟之后自动重新起动

应用

  • USB 保护
  • 手持式计算机
  • 蜂窝电话 / 智能手机
  • MP3 / MP4 播放器
  • 数码相机

优势和特点

  • 2.5V 至 5.5V 工作电压
  • 过压保护高达 80V
  • 对于大多数应用无需使用输入电容器或 TVS (瞬态电压抑制器)
  • 准确度为 2% 的 5.8V 过压门限
  • 准确度为 10% 的 50mV 过流电路断路器
  • <1μs 的过压关断时间,逐步式停机
  • 控制 N 沟道 MOSFET
  • 可调的上电 dV/dt 限制浪涌电流
  • 反向电压保护
  • 电源良好输出
  • 低电流停机模式
  • 在过流之后锁断 (LTC4361-1) 或自动重试 (LTC4361-2)
  • 采用 8 引脚 ThinSOT 封装和 8 引脚 (2mm x 2mm) DFN 封装
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