NCV5701BDR2G
门驱动器 HIGH CURRENT IGBT GATE DR
- 制造商：
- ON Semiconductor
- 产品类别
- 门驱动器
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | NCV5701BDR2G 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 门驱动器 |
| 产品 | IGBT, MOSFET Gate Drivers |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 资格 | AEC-Q100 |
| 类型 | Half-Bridge |
| 封装 | Reel |
| 工作电源电流 | 900 uA |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 |
| 输出电流 | 5 A |
| 电源电压-最大 | 35 V |
| 电源电压-最小 | 5.5 V |
| 激励器数量 | 1 Driver |
| 上升时间 | 9.2 ns |
| 下降时间 | 7.9 ns |
| 传播延迟—最大值 | 70 ns |
| Pd-功率耗散 | 700 mW |
库存：50,875
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 2500
- 参考单价：
- ￥5.9230
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 2,500+ | ￥5.9230 | ￥14,807.5000 |
| 5,000+ | ￥5.7467 | ￥28,733.5000 |
| 10,000+ | ￥5.6057 | ￥56,057.0000 |
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