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| 数据手册 | BPW16N 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 光电晶体管 |
| 产品 | Phototransistors |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 100 C |
| 封装 / 箱体 | T-3/4 |
| Pd-功率耗散 | 100 mW |
| 峰值波长 | 825 nm |
| 暗电流 | 200 nA |
| 开启状态集电极最大电流 | 50 mA |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 32 V |
| 集电极—射极击穿电压 | 32 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.3 V |
库存：54,365
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥5.2091
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.2091 | ￥5.2091 |
| 10+ | ￥4.0192 | ￥40.1920 |
| 100+ | ￥2.7500 | ￥275.0000 |
| 500+ | ￥2.1771 | ￥1,088.5500 |
| 1,000+ | ￥1.7187 | ￥1,718.7000 |
| 5,000+ | ￥1.6747 | ￥8,373.5000 |
| 10,000+ | ￥1.5513 | ￥15,513.0000 |
| 25,000+ | ￥1.5160 | ￥37,900.0000 |
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