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| 数据手册 | BPW85B 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 光电晶体管 |
| 产品 | Phototransistors |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 100 C |
| 封装 / 箱体 | T-1 |
| Pd-功率耗散 | 100 mW |
| 峰值波长 | 850 nm |
| 暗电流 | 200 nA |
| 开启状态集电极最大电流 | 50 mA |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 70 V |
| 集电极—射极击穿电压 | 70 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.3 V |
库存：55,881
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥4.2748
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥4.2748 | ￥4.2748 |
| 10+ | ￥3.0937 | ￥30.9370 |
| 100+ | ￥2.1330 | ￥213.3000 |
| 500+ | ￥1.7628 | ￥881.4000 |
| 1,000+ | ￥1.3838 | ￥1,383.8000 |
| 2,500+ | ￥1.3045 | ￥3,261.2500 |
| 5,000+ | ￥1.2868 | ￥6,434.0000 |
| 10,000+ | ￥1.2604 | ￥12,604.0000 |
| 25,000+ | ￥1.2340 | ￥30,850.0000 |
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