| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
晶体管输出光电耦合器 |
| 输出类型 |
NPN Phototransistor |
| 系列 |
4N35M |
| 封装 |
Bulk |
| 最小工作温度 |
- 40 C |
| 最大工作温度 |
+ 100 C |
| 封装 / 箱体 |
SMD-DIP-6 |
| 绝缘电压 |
7500 Vrms |
| 通道数量 |
1 Channel |
| Vf - 正向电压 |
1.5 V |
| Pd-功率耗散 |
150 mW |
| If - 正向电流 |
60 mA |
| Vr - 反向电压 |
6 V |
| 最大集电极/发射极电压 |
30 V |
| 最大集电极/发射极饱和电压 |
0.3 V |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥3.9663
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥3.9663 |
￥3.9663 |
|
10+
|
￥3.0849 |
￥30.8490 |
|
100+
|
￥1.7011 |
￥170.1100 |
|
1,000+
|
￥1.3133 |
￥1,313.3000 |
|
2,000+
|
￥1.1018 |
￥2,203.6000 |
|
10,000+
|
￥1.0665 |
￥10,665.0000 |
|
25,000+
|
￥1.0489 |
￥26,222.5000 |
|
50,000+
|
￥1.0048 |
￥50,240.0000 |
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