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| 数据手册 | MOCD211M 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 晶体管输出光电耦合器 |
| 输出类型 | NPN Phototransistor |
| 系列 | MOCD211M |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 100 C |
| 封装 / 箱体 | SOIC-Narrow-8 |
| 绝缘电压 | 2500 Vrms |
| 通道数量 | 2 Channel |
| Vf - 正向电压 | 1.5 V |
| Pd-功率耗散 | 250 mW |
| If - 正向电流 | 60 mA |
| Vr - 反向电压 | 6 V |
| 最大集电极/发射极电压 | 30 V |
| 最大集电极电流 | 150 mA |
| 最大集电极/发射极饱和电压 | 0.4 V |
库存：51,158
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥6.2579
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.2579 | ￥6.2579 |
| 10+ | ￥5.0857 | ￥50.8570 |
| 100+ | ￥3.1378 | ￥313.7800 |
| 500+ | ￥2.6618 | ￥1,330.9000 |
| 1,000+ | ￥2.1947 | ￥2,194.7000 |
| 3,000+ | ￥2.1242 | ￥6,372.6000 |
| 9,000+ | ￥2.0625 | ￥18,562.5000 |
| 24,000+ | ￥2.0008 | ￥48,019.2000 |
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