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| 数据手册 | QTLP610CPDTR 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 光电晶体管 |
| 产品 | Phototransistors |
| 系列 | QTLP610CPD |
| 最小工作温度 | - 25 C |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 上升时间 | 15 us |
| 下降时间 | 15 us |
| Pd-功率耗散 | 75 mW |
| 暗电流 | 100 nA |
| 开启状态集电极最大电流 | 0.5 mA |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 30 V |
| 集电极—射极击穿电压 | 30 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.4 V |
库存：54,683
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥6.3813
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.3813 | ￥6.3813 |
| 10+ | ￥5.2091 | ￥52.0910 |
| 100+ | ￥3.1995 | ￥319.9500 |
| 500+ | ￥2.7235 | ￥1,361.7500 |
| 2,000+ | ￥2.3622 | ￥4,724.4000 |
| 10,000+ | ￥2.2828 | ￥22,828.0000 |
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