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| 数据手册 | VEMT4700-GS08 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 光电晶体管 |
| 产品 | Phototransistors |
| 系列 | VEMT |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 100 C |
| 封装 / 箱体 | PLCC-3 |
| 上升时间 | 6 us |
| 下降时间 | 2 us |
| Pd-功率耗散 | 100 mW |
| 峰值波长 | 850 nm |
| 暗电流 | 200 nA |
| 开启状态集电极最大电流 | 50 mA |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 70 V |
| 集电极—射极击穿电压 | 70 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.15 V |
库存：52,337
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥6.8132
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.8132 | ￥6.8132 |
| 10+ | ￥5.1826 | ￥51.8260 |
| 100+ | ￥3.2259 | ￥322.5900 |
| 500+ | ￥2.8117 | ￥1,405.8500 |
| 1,500+ | ￥2.5561 | ￥3,834.1500 |
| 9,000+ | ￥2.2828 | ￥20,545.2000 |
| 24,000+ | ￥2.2652 | ￥54,364.8000 |
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