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| 数据手册 | EAPSV3026A0 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 光电晶体管 |
| 产品 | Phototransistors |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最小工作温度 | - 25 C |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 封装 / 箱体 | 3026 |
| 上升时间 | 15 us |
| 下降时间 | 15 us |
| Pd-功率耗散 | 75 mW |
| 峰值波长 | 940 nm |
| 暗电流 | 100 nA |
| 开启状态集电极最大电流 | 10 mA |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 30 V |
| 集电极—射极击穿电压 | 5 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.4 V |
库存：55,553
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
