KSD2012GTU
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
- 产品类别
- 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | KSD2012GTU 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | KSD2012 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220F-3 |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 25 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.4 V |
| 晶体管极性 | NPN |
| 集电极—基极电压 VCBO | 60 V |
| 发射极 - 基极电压 VEBO | 7 V |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 增益带宽产品fT | 3 MHz |
库存：59,626
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥5.5793
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.5793 | ￥5.5793 |
| 10+ | ￥4.6274 | ￥46.2740 |
| 100+ | ￥3.2347 | ￥323.4700 |
| 500+ | ￥2.8029 | ￥1,401.4500 |
| 1,000+ | ￥2.3886 | ￥2,388.6000 |
| 2,000+ | ￥2.2388 | ￥4,477.6000 |
| 5,000+ | ￥2.0625 | ￥10,312.5000 |
| 10,000+ | ￥1.9215 | ￥19,215.0000 |
| 25,000+ | ￥1.8686 | ￥46,715.0000 |
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