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    KSD363RTU

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil

    制造商:
    ON Semiconductor / Fairchild
    产品类别
    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
    安装风格 Through Hole
    系列 KSD363
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-220-3
    配置 Single
    Pd-功率耗散 40000 mW
    集电极—发射极最大电压 VCEO 120 V
    集电极—射极饱和电压 1 V
    晶体管极性 NPN
    集电极—基极电压 VCBO 300 V
    发射极 - 基极电压 VEBO 8 V
    最大直流电集电极电流 6 A
    增益带宽产品fT 10 MHz

    库存:53,643

    交货地:
    国内
    最小包装:
    2000
    参考单价:
    ¥2.2035
    数量 单价(含税) 总计
    2,000+ ¥2.2035 ¥4,407.0000
    5,000+ ¥2.0977 ¥10,488.5000

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