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    PN3565 TIN/LEAD

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30Vcbo 25Vceo 6.0Vebo 50mA 625mW

    制造商:
    Central Semiconductor
    产品类别
    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
    无铅情况/RoHS:
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
    安装风格 Through Hole
    系列 PN35
    封装 Bulk
    最小工作温度 - 65 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-92-3
    配置 Single
    Pd-功率耗散 625 mW
    集电极—发射极最大电压 VCEO 25 V
    集电极—射极饱和电压 0.35 V
    晶体管极性 NPN
    集电极—基极电压 VCBO 30 V
    发射极 - 基极电压 VEBO 6 V
    增益带宽产品fT 240 MHz