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    RN1106MFV,L3F

    双极晶体管 - 预偏置 BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    双极晶体管 - 预偏置
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 RN1106MFV,L3F 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 双极晶体管 - 预偏置
    安装风格 SMD/SMT
    系列 RN1106MFV
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 SOT-723-3
    配置 Single
    Pd-功率耗散 150 mW
    集电极—发射极最大电压 VCEO 50 V
    晶体管极性 NPN
    典型输入电阻器 4.7 kOhms
    典型电阻器比率 0.1
    直流集电极/Base Gain hfe Min 80
    集电极连续电流 100 mA

    库存:58,129

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥0.9872
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥0.9872 ¥0.9872
    10+ ¥0.8735 ¥8.7350
    100+ ¥0.2970 ¥29.7000
    1,000+ ¥0.2107 ¥210.7000
    2,500+ ¥0.1551 ¥387.7500
    10,000+ ¥0.1366 ¥1,366.0000
    25,000+ ¥0.1243 ¥3,107.5000
    50,000+ ¥0.1058 ¥5,290.0000
    100,000+ ¥0.0864 ¥8,640.0000

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