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    NJD35N04T4G

    达林顿晶体管 NPN DARL POWER TRAN

    制造商:
    ON Semiconductor
    产品类别
    达林顿晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 NJD35N04T4G 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 达林顿晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    系列 NJD35N04
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 65 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-252-3 (D-PAK)
    配置 Single
    Pd-功率耗散 45 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 350 V
    晶体管极性 NPN
    集电极—基极电压 VCBO 700 V
    发射极 - 基极电压 VEBO 5 V
    最大直流电集电极电流 4 A

    库存:55,457

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥5.7644
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥5.7644 ¥5.7644
    10+ ¥4.8477 ¥48.4770
    100+ ¥3.6754 ¥367.5400
    250+ ¥3.5609 ¥890.2250
    1,000+ ¥2.6266 ¥2,626.6000
    2,500+ ¥2.5561 ¥6,390.2500
    5,000+ ¥2.4679 ¥12,339.5000

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