NXH80B120H2Q0SG
IGBT 模块 PIM 1200V 40A DU BST SiC DIODE
- 制造商：
- ON Semiconductor
- 产品类别
- IGBT 模块
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | NXH80B120H2Q0SG 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Carbide Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 封装 / 箱体 | Q0BOOST |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 103 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.2 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 40 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 200 nA |
库存：53,793
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥479.8342
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥479.8342 | ￥479.8342 |
| 5+ | ￥473.7613 | ￥2,368.8065 |
| 10+ | ￥455.7984 | ￥4,557.9840 |
| 25+ | ￥443.7144 | ￥11,092.8600 |
| 50+ | ￥431.6921 | ￥21,584.6050 |
| 100+ | ￥410.9968 | ￥41,099.6800 |
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