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    NXH160T120L2Q2F2SG

    IGBT 模块 PIM 1200V 160A SPLIT TNP IGBT

    制造商:
    ON Semiconductor
    产品类别
    IGBT 模块
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 NXH160T120L2Q2F2SG 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 模块
    产品 IGBT Silicon Modules
    封装 Tray
    最小工作温度 - 40 C
    最大工作温度 + 125 C
    封装 / 箱体 Q2PACK
    配置 Split-T
    Pd-功率耗散 500 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 600 V, 1200 V
    集电极—射极饱和电压 1.47 V, 2.15 V
    在25 C的连续集电极电流 100 A, 160 A
    栅极—射极漏泄电流 300 nA, 500 nA

    库存:55,037

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥807.0010
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥807.0010 ¥807.0010
    5+ ¥798.3897 ¥3,991.9485
    10+ ¥771.7450 ¥7,717.4500
    25+ ¥749.9304 ¥18,748.2600
    50+ ¥727.4370 ¥36,371.8500
    100+ ¥714.1191 ¥71,411.9100

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