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| 数据手册 | APT100GLQ65JU3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 430 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.85 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 165 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 150 nA |
库存：59,319
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥235.3338
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥235.3338 | ￥235.3338 |
| 5+ | ￥227.4629 | ￥1,137.3145 |
| 10+ | ￥220.0327 | ￥2,200.3270 |
| 25+ | ￥203.4888 | ￥5,087.2200 |
| 50+ | ￥196.9136 | ￥9,845.6800 |
| 100+ | ￥190.7790 | ￥19,077.9000 |
| 250+ | ￥178.0781 | ￥44,519.5250 |
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