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| 数据手册 | APT75GT120JU2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 416 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1.2 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.7 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 100 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 500 nA |
库存：57,487
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥258.8760
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥258.8760 | ￥258.8760 |
| 5+ | ￥250.2030 | ￥1,251.0150 |
| 10+ | ￥242.0236 | ￥2,420.2360 |
| 25+ | ￥223.8668 | ￥5,596.6700 |
| 50+ | ￥216.6217 | ￥10,831.0850 |
| 100+ | ￥209.8702 | ￥20,987.0200 |
| 250+ | ￥195.8647 | ￥48,966.1750 |
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