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数据手册 | APTGT100A60T1G 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | IGBT 模块 |
产品 | IGBT Silicon Modules |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 40 C |
最大工作温度 | + 100 C |
封装 / 箱体 | SP1-12 |
配置 | Dual |
Pd-功率耗散 | 340 W |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.5 V |
在25 C的连续集电极电流 | 150 A |
栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
库存:52,370
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥419.7932
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥419.7932 | ¥419.7932 |
5+ | ¥407.0922 | ¥2,035.4610 |
10+ | ¥395.1933 | ¥3,951.9330 |
25+ | ¥370.4700 | ¥9,261.7500 |
50+ | ¥361.6120 | ¥18,080.6000 |
100+ | ¥353.1858 | ¥35,318.5800 |
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