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| 数据手册 | FS75R07N2E4 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | Module |
| 配置 | IGBT-Inverter |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.55 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 75 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
库存：56,670
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥484.5497
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥484.5497 | ￥484.5497 |
| 5+ | ￥466.2694 | ￥2,331.3470 |
| 10+ | ￥456.0452 | ￥4,560.4520 |
| 20+ | ￥442.4099 | ￥8,848.1980 |
| 50+ | ￥429.0303 | ￥21,451.5150 |
| 100+ | ￥400.9577 | ￥40,095.7700 |
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