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| 数据手册 | IXYN30N170CV1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227B |
| 配置 | Single Dual Emitter |
| Pd-功率耗散 | 680 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1700 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 3 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 88 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
库存：54,336
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥204.8462
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥204.8462 | ￥204.8462 |
| 5+ | ￥197.1604 | ￥985.8020 |
| 10+ | ￥189.4834 | ￥1,894.8340 |
| 25+ | ￥182.8552 | ￥4,571.3800 |
| 50+ | ￥175.1077 | ￥8,755.3850 |
| 100+ | ￥161.7810 | ￥16,178.1000 |
| 200+ | ￥155.9637 | ￥31,192.7400 |
| 500+ | ￥145.1754 | ￥72,587.7000 |
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