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| 数据手册 | FF600R12ME4EB11BOSA1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm |
| 配置 | Common Emitter |
| Pd-功率耗散 | 20 mW |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.75 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 600 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
库存：51,628
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥1,505.4400
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1,505.4400 | ￥1,505.4400 |
| 5+ | ￥1,462.7450 | ￥7,313.7250 |
| 10+ | ￥1,441.7412 | ￥14,417.4120 |
| 25+ | ￥1,409.9580 | ￥35,248.9500 |
| 50+ | ￥1,385.6049 | ￥69,280.2450 |
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