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| 数据手册 | DF100R07W1H5FPB53BPSA2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Carbide Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | Module |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 20 mW |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.35 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 40 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
库存：53,484
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥317.4362
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥317.4362 | ￥317.4362 |
| 5+ | ￥307.8290 | ￥1,539.1450 |
| 10+ | ￥298.2217 | ￥2,982.2170 |
| 25+ | ￥288.6232 | ￥7,215.5800 |
| 50+ | ￥279.9503 | ￥13,997.5150 |
| 100+ | ￥259.7486 | ￥25,974.8600 |
| 250+ | ￥250.0796 | ￥62,519.9000 |
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