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| 数据手册 | FF650R17IE4 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PRIME2 |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 4.15 kW |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1700 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.45 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 930 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
库存：53,825
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥2,883.9144
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥2,883.9144 | ￥2,883.9144 |
| 5+ | ￥2,840.2322 | ￥14,201.1610 |
| 10+ | ￥2,796.9819 | ￥27,969.8190 |
| 25+ | ￥2,775.3611 | ￥69,384.0275 |
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