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| 数据手册 | APT150GN120J 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| Pd-功率耗散 | 625 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1.2 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.7 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 215 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 600 nA |
库存：58,357
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥244.9411
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥244.9411 | ￥244.9411 |
| 2+ | ￥238.3041 | ￥476.6082 |
| 5+ | ￥231.6760 | ￥1,158.3800 |
| 10+ | ￥225.1096 | ￥2,251.0960 |
| 25+ | ￥209.1827 | ￥5,229.5675 |
| 50+ | ￥204.1058 | ￥10,205.2900 |
| 100+ | ￥194.9921 | ￥19,499.2100 |
| 250+ | ￥178.2015 | ￥44,550.3750 |
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