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| 数据手册 | FF900R12IP4 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PRIME2 |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 5.1 kW |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.1 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 900 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
库存：53,478
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥3,020.9809
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥3,020.9809 | ￥3,020.9809 |
| 5+ | ￥2,972.3981 | ￥14,861.9905 |
| 10+ | ￥2,927.1647 | ￥29,271.6470 |
| 25+ | ￥2,904.3011 | ￥72,607.5275 |
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