A1P35S12M3-F
IGBT 模块 PTD NEW MAT & PWR SOLUTION
- 制造商：
- STMicroelectronics
- 产品类别
- IGBT 模块
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | A1P35S12M3-F 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | ACEPACK1 |
| 配置 | 6-Pack |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.95 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 35 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 500 nA |
库存：58,534
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥249.5860
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥249.5860 | ￥249.5860 |
| 5+ | ￥246.1750 | ￥1,230.8750 |
| 10+ | ￥232.7954 | ￥2,327.9540 |
| 25+ | ￥224.6160 | ￥5,615.4000 |
| 50+ | ￥217.8556 | ￥10,892.7800 |
| 100+ | ￥195.1155 | ￥19,511.5500 |
| 250+ | ￥188.1789 | ￥47,044.7250 |
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