A1P25S12M3
IGBT 模块 PTD NEW MAT & PWR SOLUTION
- 制造商:
- STMicroelectronics
- 产品类别
- IGBT 模块
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | A1P25S12M3 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | IGBT 模块 |
产品 | IGBT Silicon Modules |
最小工作温度 | - 40 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | ACEPACK1 |
配置 | 6-Pack |
Pd-功率耗散 | 197 W |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.95 V |
在25 C的连续集电极电流 | 25 A |
栅极—射极漏泄电流 | 500 nA |
库存:58,101
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥227.1544
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥227.1544 | ¥227.1544 |
10+ | ¥209.4912 | ¥2,094.9120 |
25+ | ¥200.0778 | ¥5,001.9450 |
100+ | ¥176.5268 | ¥17,652.6800 |
250+ | ¥164.7601 | ¥41,190.0250 |
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