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| 数据手册 | FS50R06W1E3_B11 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | Module |
| 配置 | IGBT-Inverter |
| Pd-功率耗散 | 205 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.45 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 70 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
库存：59,640
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥224.6777
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥224.6777 | ￥224.6777 |
| 10+ | ￥207.1995 | ￥2,071.9950 |
| 25+ | ￥197.9096 | ￥4,947.7400 |
| 100+ | ￥174.6142 | ￥17,461.4200 |
| 250+ | ￥162.9620 | ￥40,740.5000 |
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