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| 数据手册 | FS50R07W1E3B11ABOMA1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | EasyPack1B |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 205 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.7 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 70 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
库存：53,033
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥271.5770
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥271.5770 | ￥271.5770 |
| 10+ | ￥253.4289 | ￥2,534.2890 |
| 25+ | ￥242.7728 | ￥6,069.3200 |
| 50+ | ￥227.5863 | ￥11,379.3150 |
| 100+ | ￥212.4086 | ￥21,240.8600 |
| 250+ | ￥204.8462 | ￥51,211.5500 |
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