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| 数据手册 | FP25R12W2T4_B11 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| Pd-功率耗散 | 175 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.25 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 39 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
库存：53,632
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥306.5862
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥306.5862 | ￥306.5862 |
| 10+ | ￥286.0143 | ￥2,860.1430 |
| 25+ | ￥274.0625 | ￥6,851.5625 |
| 50+ | ￥267.3022 | ￥13,365.1100 |
| 100+ | ￥239.7937 | ￥23,979.3700 |
| 250+ | ￥231.2441 | ￥57,811.0250 |
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