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| 数据手册 | FP50R12KT4 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | Econo 3 |
| 配置 | 3-Phase |
| Pd-功率耗散 | 280 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.25 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 50 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
库存：51,817
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥623.1586
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥623.1586 | ￥623.1586 |
| 5+ | ￥615.4111 | ￥3,077.0555 |
| 10+ | ￥590.9346 | ￥5,909.3460 |
| 20+ | ￥574.8226 | ￥11,496.4520 |
| 50+ | ￥567.1456 | ￥28,357.2800 |
| 100+ | ￥514.5349 | ￥51,453.4900 |
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