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数据手册 | FP50R12KT4 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | IGBT 模块 |
产品 | IGBT Silicon Modules |
封装 | Tray |
最小工作温度 | - 40 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | Econo 3 |
配置 | 3-Phase |
Pd-功率耗散 | 280 W |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.25 V |
在25 C的连续集电极电流 | 50 A |
栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
库存:51,817
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥623.1586
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥623.1586 | ¥623.1586 |
5+ | ¥615.4111 | ¥3,077.0555 |
10+ | ¥590.9346 | ¥5,909.3460 |
20+ | ¥574.8226 | ¥11,496.4520 |
50+ | ¥567.1456 | ¥28,357.2800 |
100+ | ¥514.5349 | ¥51,453.4900 |
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