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| 数据手册 | FF100R12RT4 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| Pd-功率耗散 | 555 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
库存：50,114
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥338.8719
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥338.8719 | ￥338.8719 |
| 5+ | ￥334.4120 | ￥1,672.0600 |
| 10+ | ￥318.3000 | ￥3,183.0000 |
| 20+ | ￥308.7544 | ￥6,175.0880 |
| 50+ | ￥304.9203 | ￥15,246.0150 |
| 100+ | ￥277.2179 | ￥27,721.7900 |
| 200+ | ￥266.9320 | ￥53,386.4000 |
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