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| 数据手册 | FP50R06W2E3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | Module |
| 配置 | IGBT-Inverter |
| Pd-功率耗散 | 175 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.45 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 65 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
库存：58,974
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥300.8923
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥300.8923 | ￥300.8923 |
| 10+ | ￥280.6906 | ￥2,806.9060 |
| 25+ | ￥268.9768 | ￥6,724.4200 |
| 50+ | ￥262.2870 | ￥13,114.3500 |
| 100+ | ￥235.3338 | ￥23,533.3800 |
| 250+ | ￥226.9076 | ￥56,726.9000 |
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