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| 数据手册 | FS50R12W2T4 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | Module |
| 配置 | IGBT-Inverter |
| Pd-功率耗散 | 335 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.85 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 83 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
库存：56,130
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥316.7487
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥316.7487 | ￥316.7487 |
| 5+ | ￥307.2120 | ￥1,536.0600 |
| 10+ | ￥297.9749 | ￥2,979.7490 |
| 25+ | ￥289.0551 | ￥7,226.3775 |
| 50+ | ￥280.3822 | ￥14,019.1100 |
| 100+ | ￥259.1228 | ￥25,912.2800 |
| 250+ | ￥249.5243 | ￥62,381.0750 |
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