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| 数据手册 | FP75R07N2E4 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.95 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 75 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
库存：53,064
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥546.4504
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥546.4504 | ￥546.4504 |
| 5+ | ￥526.1870 | ￥2,630.9350 |
| 10+ | ￥514.8434 | ￥5,148.4340 |
| 20+ | ￥499.4189 | ￥9,988.3780 |
| 50+ | ￥484.1090 | ￥24,205.4500 |
| 100+ | ￥452.0789 | ￥45,207.8900 |
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