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| 数据手册 | FF150R12RT4 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | Module |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 790 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.75 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 150 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
库存：53,780
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥387.2695
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥387.2695 | ￥387.2695 |
| 5+ | ￥382.3689 | ￥1,911.8445 |
| 10+ | ￥363.7802 | ￥3,637.8020 |
| 20+ | ￥352.8773 | ￥7,057.5460 |
| 50+ | ￥348.6642 | ￥17,433.2100 |
| 100+ | ￥316.8104 | ￥31,681.0400 |
| 200+ | ￥305.1054 | ￥61,021.0800 |
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