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| 数据手册 | FF50R12RT4 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| Pd-功率耗散 | 285 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.15 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 50 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
库存：59,749
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥284.3485
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥284.3485 | ￥284.3485 |
| 10+ | ￥265.3190 | ￥2,653.1900 |
| 20+ | ￥254.2310 | ￥5,084.6200 |
| 50+ | ￥247.8497 | ￥12,392.4850 |
| 100+ | ￥222.4477 | ￥22,244.7700 |
| 200+ | ￥214.4534 | ￥42,890.6800 |
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