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| 数据手册 | APT200GN60J 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| Pd-功率耗散 | 682 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.5 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 283 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 600 nA |
库存：52,204
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥207.5080
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥207.5080 | ￥207.5080 |
| 5+ | ￥198.2180 | ￥991.0900 |
| 10+ | ￥192.0218 | ￥1,920.2180 |
| 25+ | ￥176.4034 | ￥4,410.0850 |
| 50+ | ￥171.1414 | ￥8,557.0700 |
| 100+ | ￥163.0237 | ￥16,302.3700 |
| 250+ | ￥149.7675 | ￥37,441.8750 |
| 500+ | ￥137.9920 | ￥68,996.0000 |
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