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数据手册 | FP25R12KT4 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | IGBT 模块 |
产品 | IGBT Silicon Modules |
封装 | Tray |
最小工作温度 | - 40 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | Module |
配置 | 3-Phase |
Pd-功率耗散 | 160 W |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.85 V |
在25 C的连续集电极电流 | 25 A |
栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
库存:58,855
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥405.0474
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥405.0474 | ¥405.0474 |
5+ | ¥399.7854 | ¥1,998.9270 |
10+ | ¥384.7840 | ¥3,847.8400 |
20+ | ¥374.6831 | ¥7,493.6620 |
50+ | ¥371.0958 | ¥18,554.7900 |
100+ | ¥329.0795 | ¥32,907.9500 |
200+ | ¥320.9001 | ¥64,180.0200 |
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