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| 数据手册 | APT100GT60JR 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Carbide Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | ISOTOP-4 |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 500 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.1 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 148 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 300 nA |
库存：56,366
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥153.7250
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥153.7250 | ￥153.7250 |
| 5+ | ￥146.8501 | ￥734.2505 |
| 10+ | ￥142.2668 | ￥1,422.6680 |
| 25+ | ￥130.6764 | ￥3,266.9100 |
| 50+ | ￥126.7718 | ￥6,338.5900 |
| 100+ | ￥120.7606 | ￥12,076.0600 |
| 250+ | ￥110.9771 | ￥27,744.2750 |
| 500+ | ￥102.2424 | ￥51,121.2000 |
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