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| 数据手册 | FF200R12KT3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 封装 / 箱体 | 62 mm |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 295 A |
库存：55,387
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥677.4352
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥677.4352 | ￥677.4352 |
| 5+ | ￥669.0707 | ￥3,345.3535 |
| 10+ | ￥642.4260 | ￥6,424.2600 |
| 20+ | ￥624.8950 | ￥12,497.9000 |
| 50+ | ￥616.6539 | ￥30,832.6950 |
| 100+ | ￥559.3981 | ￥55,939.8100 |
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