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| 数据手册 | APT150GT120JR 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| Pd-功率耗散 | 830 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1.2 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 3.2 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 170 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 900 nA |
库存：57,961
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥326.6645
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥326.6645 | ￥326.6645 |
| 2+ | ￥317.8064 | ￥635.6128 |
| 5+ | ￥309.0100 | ￥1,545.0500 |
| 10+ | ￥300.2048 | ￥3,002.0480 |
| 25+ | ￥279.0160 | ￥6,975.4000 |
| 50+ | ￥272.2028 | ￥13,610.1400 |
| 100+ | ￥260.1188 | ￥26,011.8800 |
| 250+ | ￥237.6871 | ￥59,421.7750 |
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