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| 数据手册 | APT85GR120J 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | ISOTOP-4 |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 595 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1.2 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 3.5 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 118 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 250 nA |
库存：52,349
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥205.5337
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥205.5337 | ￥205.5337 |
| 5+ | ￥196.2966 | ￥981.4830 |
| 10+ | ￥190.1621 | ￥1,901.6210 |
| 25+ | ￥174.7376 | ￥4,368.4400 |
| 50+ | ￥169.4668 | ￥8,473.3400 |
| 100+ | ￥161.4725 | ￥16,147.2500 |
| 250+ | ￥148.3396 | ￥37,084.9000 |
| 500+ | ￥136.6258 | ￥68,312.9000 |
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