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| 数据手册 | BSM25GD120DN2E3224 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | EconoPACK 2 |
| 配置 | Hex |
| Pd-功率耗散 | 200 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.5 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 35 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 180 nA |
库存：57,400
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥572.3459
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥572.3459 | ￥572.3459 |
| 5+ | ￥551.2804 | ￥2,756.4020 |
| 10+ | ￥539.4432 | ￥5,394.4320 |
| 20+ | ￥523.2696 | ￥10,465.3920 |
| 50+ | ￥507.2281 | ￥25,361.4050 |
| 100+ | ￥473.4528 | ￥47,345.2800 |
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