图像仅供参考 请参阅产品规格
文档与媒体
| 数据手册 | APT100GT120JU3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Carbide Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | ISOTOP-4 |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 480 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1.2 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.7 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 140 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
库存：58,389
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥319.5428
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥319.5428 | ￥319.5428 |
| 5+ | ￥308.8249 | ￥1,544.1245 |
| 10+ | ￥298.7858 | ￥2,987.8580 |
| 25+ | ￥276.2925 | ￥6,907.3125 |
| 50+ | ￥267.4256 | ￥13,371.2800 |
| 100+ | ￥259.0611 | ￥25,906.1100 |
| 250+ | ￥241.7768 | ￥60,444.2000 |
申请更低价? 请联系客服QQ 154861934
