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| 数据手册 | FP35R12KT4_B15 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| Pd-功率耗散 | 210 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.15 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 35 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
库存：51,235
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥501.0318
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥501.0318 | ￥501.0318 |
| 5+ | ￥482.2492 | ￥2,411.2460 |
| 10+ | ￥471.7165 | ￥4,717.1650 |
| 20+ | ￥457.5964 | ￥9,151.9280 |
| 50+ | ￥443.7144 | ￥22,185.7200 |
| 100+ | ￥414.5929 | ￥41,459.2900 |
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