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| 数据手册 | APT200GT60JR 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Carbide Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | ISOTOP-4 |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 500 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 195 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 300 nA |
库存：58,395
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥242.4555
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥242.4555 | ￥242.4555 |
| 2+ | ￥235.8274 | ￥471.6548 |
| 5+ | ￥229.3227 | ￥1,146.6135 |
| 10+ | ￥222.7562 | ￥2,227.5620 |
| 25+ | ￥207.0144 | ￥5,175.3600 |
| 50+ | ￥201.9993 | ￥10,099.9650 |
| 100+ | ￥193.0090 | ￥19,300.9000 |
| 250+ | ￥176.4034 | ￥44,100.8500 |
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